北京北方华创微电子装备有限公司

本申请公开一种镀膜设备，属于晶片加工技术领域。所公开的镀膜设备包括工艺腔室、承载装置、第一喷淋件和第二喷淋件，所述承载装置用于承载晶片，且所述承载装置可活动地设于所述工艺腔室内，所述第一喷淋件和所述第二喷淋件间隔设于所述工艺腔室内，所述第一喷淋件用于喷淋第一气体，所述第二喷淋件用于喷淋第二气体；在所述承载装置相对于所述工艺腔室运动至第一位置的情况下，所述承载装置朝向所述第一喷淋件；在所述承载装置相对于所述工艺腔室运动至第二位置的情况下，所述承载装置朝向所述第二喷淋件。上述方案能够解决相关技术涉及的镀膜设备存在需要频繁维护的问题。

本发明实施例提供了一种半导体设备的混合溶液的浓度控制方法和半导体工艺设备，通过根据各种监测对象的影响关系对多种监测对象进行分组，将复杂的多组分解耦，避免了单一估算方式的局限性；通过针对第一类型监测对象采用基于自身消耗情况与补充情况进行补充，针对第二类型监测对象其补充量不仅考量自身的消耗与补充，也考虑了第一类型的监测对象的补充情况；当补充第一类型引起溶液体积波动或主盐浓度变化时，第二类型的补液量会随之进行动态修正，从而有效消除了第一类型的监测对象的补入对第二类型的监测对象造成的稀释效应或比例失调；本发明将各种单独的监测对象关联为动态关联的整体，实现了多组分间的实时平衡，提升了药液配比的精度和工艺一致性。

本申请提供了一种堆叠结构的刻蚀方法、形成方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域。该方法包括提供堆叠结构，堆叠结构包括交替堆叠的多层牺牲层和多层功能层，功能层和牺牲层为不同的材料膜层，牺牲层的材料包括目标元素，堆叠结构在垂直方向上被划分为第一区域及位于第一区域上的第二区域，第二区域中的牺牲层的层数大于或等于1且小于牺牲层的总层数的30%，第一区域中的任意两个牺牲层中的目标元素的浓度差小于预定阈值，第二区域中的牺牲层中的目标元素的浓度大于第一区域中的牺牲层中的目标元素的浓度；沿堆叠结构的侧壁横向刻蚀牺牲层。通过提高第二区域的牺牲层的目标元素的浓度，补偿堆叠结构的顶部的刻蚀速率，提高刻蚀均匀性。