西湖烟山半导体（上海）有限公司

本发明实施例公开了一种微型发光芯片及其制备方法。微型发光芯片的制备方法包括：将显示功能层与驱动基板键合；显示功能层包括层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一半导体层设置于驱动基板和发光层之间；采用干法刻蚀工艺对部分第二半导体层刻蚀，形成第一台面；采用湿法刻蚀工艺对剩余的第二半导体层、发光层和至少部分第一半导体层刻蚀，形成第二台面；第二台面的顶面与第一台面的底面重合。提高了MicroLED的性能。

本发明实施例公开了一种发光结构及其制备方法。该发光结构包括驱动基板，包括衬底和依次设置于衬底上的驱动信号线层和焊盘，驱动信号线层包括驱动信号线；屏蔽层，设置于驱动基板的一侧；屏蔽层与驱动信号线绝缘；外延层，设置于屏蔽层远离驱动基板的一侧；外延层通过驱动电极与焊盘连接；外延层与屏蔽层绝缘；导电层，设置于外延层远离屏蔽层的一侧，导电层与外延层连接，导电层包括第一部分，第一部分在衬底上的正投影与驱动信号线在衬底上的正投影无交叠；和/或，导电层包括第二部分，第二部分在衬底上的正投影位于屏蔽层在衬底上的正投影内，驱动信号线在衬底上的正投影位于屏蔽层在衬底上的正投影内。提高了发光结构的调制带宽。