浙江晶盛光子科技有限公司

本发明涉及一种背接触电池及其制备方法，其中背接触电池的制备方法，包括：提供一基底，所述基底具有相对的第一面和第二面，所述第一面设有交替间隔设置的N型区域和P型区域；形成在所述N型区域的N型掺杂层；形成在所述P型区域的半导体叠层，所述半导体叠层包括依次形成的P型掺杂层和保护层，所述半导体叠层在同一个腔室内制备完成；去除所述保护层；形成分别覆盖在所述N型掺杂层和所述P型掺杂层上的透明导电层。该背接触电池的叠层通过形成保护层，实现了在同一个腔室内形成叠层的方案，可节省工艺时间，提高生产效率。

本发明涉及一种PECVD单腔室叠层制备工艺和背接触电池。一种PECVD单腔室沉积叠层制备工艺，包括：提供一基底，放置于一腔室中；在所述基底上依次沉积本征硅层、掺杂硅层和牺牲层。本方案在单腔室中沉积的叠层包含保护层，该保护层能够在腔室中形成一层保护膜，能够避免下一轮工艺中掺杂硅层中的掺杂源逸出，保证了后续沉积的洁净度。