华海清科（北京）科技有限公司

本申请公开了一种键合过程中动态误差的解耦补偿方法及系统，属于半导体制造技术领域。该方法通过设置于键合头上的第一反射镜、视觉模组前端及后端的第二、第三反射镜，以及晶圆上的预设镜面反射区构建四节点角度监测架构，并对各节点角度进行统一坐标变换和时间对齐。执行三步标定后，根据键合头角度与晶圆基准面角度的相对变化确定键合头相对倾斜量，并基于预先标定的有效阿贝臂计算键合界面处的横向位置误差；根据视觉模组前端、后端反射镜在两个标记位置的平均角度变化确定视觉模组整体运动角误差，并根据同一位置前后端角度差的变化量确定前后端相对角误差。

本申请涉及晶圆减薄技术领域，具体涉及一种晶圆减薄机测子保护用环形喷嘴装置。所述装置包括安装支架和环形喷嘴，安装支架内形成流体通道，流体通道进口连接可独立调节的水路和气路；环形喷嘴具有供测子穿过的中心通孔及多个向外下方倾斜的孔道；安装支架升降设置以调节环形喷嘴与测子端面的间隙。水气二流体经孔道喷出后在测子外周形成向外扩散的360°环形保护区域，阻挡废屑进入测子接触区域。本申请用于晶圆背面减薄过程中接触式测量测子的防护，可有效阻挡废屑干扰并避免测子扰动。

本申请实施例公开了一种晶圆减薄系统及方法、电子设备、存储介质，晶圆减薄方法包括：针对一批次待减薄晶圆中的第n片晶圆，根据磨削系数控制磨削模块对第n片晶圆进行磨削，并根据压力响应系数控制抛光模块对磨削后的晶圆进行一次抛光，得到减薄后晶圆，其中，压力响应系数用于表征每个抛光区域的期望施加压力和期望去除速率形貌之间的关系；根据第n片晶圆中每相邻的两个抛光区域对应于抛光的去除速率形貌，更新每个抛光区域的压力响应系数，n为正整数；基于更新后的压力响应系数继续对第n+1片晶圆进行磨削以及抛光，直至一批次待减薄晶圆减薄完成。本申请的方案能够有效改善减薄过程中的抛光精度不够高的问题。

本发明涉及芯片表面颗粒控制技术领域，具体涉及一种降低芯片表面残胶和颗粒的方法和晶圆切割载体结构，其中一种降低芯片表面残胶和颗粒的方法包括以下步骤：S1、贴膜；S2、切割；S3、UV预处理；S4、阶梯结构制备；S5、表面还原；S6、清洗。本发明提供的一种降低芯片表面残胶和颗粒的方法，通过在等离子激活工序之前增加颗粒控制措施，使切割槽内裸露的粘附层表层发生部分固化，同时保留芯片下方粘附层足够的粘性以防芯片偏移，再定量去除该固化层形成阶梯结构，直接去除在等离子激活前已经附着在固化层表面的颗粒，保证了较小的阶梯侧面的暴露面积，显著降低了后续等离子激活时由于粘附层脱落所新增的颗粒数量。