中科（深圳）无线半导体有限公司

本发明公开了一种GaN HEMT全集成基本逻辑门电路模块及其制备方法，属于半导体器件技术领域，具体包括制备在同一衬底和外延层上的一个耗尽型GaN HEMT晶体管和三个增强型GaN HEMT晶体管，通过隔离槽实现器件间的电气隔离；外延层采用成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、P‑GaN层和盖帽层的层叠结构，其中耗尽型器件区域去除P‑GaN层；通过设计指定的源极、漏极、栅极金属互连结构，可分别实现非门、与非门、或非门及与或非门逻辑功能。本发明通过将不同类型HEMT器件全集成于同一衬底，并利用标准化模块阵列化排布，仅需调整金属互连版图即可实现不同逻辑功能，有效解决了现有技术中驱动电路专用性强、开发成本高的问题，显著提升了逻辑门的响应速度与耐压能力。

本发明公开了一种基于GaN的单片集成栅极驱动防串扰电路及其制备方法，属于半导体器件技术领域，具体包括集成在同一衬底和外延层上的增强型GaN HEMT功率器件和防串扰电路，防串扰电路包括第一电阻、第二电阻、二极管和磁珠，第二电阻、二极管和磁珠串联在前级驱动电路与增强型GaN HEMT功率器件栅极之间，第一电阻并联在第二电阻和二极管串联的两端。本发明通过单片集成技术消除了封装寄生参数，利用二极管的单向导电性与电阻配合，实现了功率器件正常导通时的低阻抗驱动与反向振铃时的高阻抗抑制，有效防止了栅极误开启及器件烧毁；集成的磁珠阵列进一步滤除了高频干扰信号，显著提升了电路的高频稳定性与可靠性。