一种GaN HEMT全集成基本逻辑门电路模块及其制备方法

本发明公开了一种GaN HEMT全集成基本逻辑门电路模块及其制备方法，属于半导体器件技术领域，具体包括制备在同一衬底和外延层上的一个耗尽型GaN HEMT晶体管和三个增强型GaN HEMT晶体管，通过隔离槽实现器件间的电气隔离；外延层采用成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、P‑GaN层和盖帽层的层叠结构，其中耗尽型器件区域去除P‑GaN层；通过设计指定的源极、漏极、栅极金属互连结构，可分别实现非门、与非门、或非门及与或非门逻辑功能。本发明通过将不同类型HEMT器件全集成于同一衬底，并利用标准化模块阵列化排布，仅需调整金属互连版图即可实现不同逻辑功能，有效解决了现有技术中驱动电路专用性强、开发成本高的问题，显著提升了逻辑门的响应速度与耐压能力。