株式会社国际电气

本发明涉及衬底处理方法、衬底处理装置、程序及半导体器件的制造方法。提供能够控制在衬底上形成的含金属膜的膜质的技术。具有：（a）在将配置有具备含金属膜的衬底的处理室内的压力设为第一压力的状态下，对第一温度的所述衬底供给含羧基流体，从所述含金属膜除去杂质的工序；（b）在将所述含羧基流体的供给停止了的状态下对所述处理室内的气氛进行排气，使所述处理室内的压力成为比所述第一压力低的第二压力的工序；和（c）将所述处理室内的压力维持在所述第二压力、并在所述杂质被除去了的所述含金属膜露出的状态下，将所述衬底加热至比所述第一温度高的第二温度，使所述含金属膜中的金属成分的晶体粒径扩大的工序。

本发明提供一种能够以易于理解的方式显示装置数据的变化的技术，具备：显示部，其构成为能够在画面中显示第1区域和第2区域，所述第1区域按时间序列以图表显示包含至少一个项目的第1类别的装置数据的变化，所述第2区域显示所述项目的信息；操作部，其构成为能够进行对显示在所述第2区域内的所述项目的选择操作、和对显示在所述第1区域内的装置数据中的指定时刻的选择操作；和控制部，其构成为能够以如下方式控制所述显示部：在包含通过所述操作部的选择操作而选择的项目的装置数据中的所选择的指定时刻的区间内所述装置数据发生了变化的情况下，将所述区间的显示方式切换成与其他区间不同的显示方式来进行显示。

本发明提供一种基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序产品以及基板处理装置，能够控制容易蚀刻的部位和难以蚀刻的部位。本发明的基板处理方法具有：工序a，一边向配置在表面形成有凹部的基板的第一空间内供给调节气体，一边使所述第一空间内的压力成为第一压力；工序b，在工序a之后，向所述第一空间内供给蚀刻气体，在作为工序b中的至少一部分期间的低压期间，使所述第一空间内的压力小于所述第一压力。