衬底处理方法、衬底处理装置、程序及半导体器件的制造方法

本发明涉及衬底处理方法、衬底处理装置、程序及半导体器件的制造方法。提供能够控制在衬底上形成的含金属膜的膜质的技术。具有：（a）在将配置有具备含金属膜的衬底的处理室内的压力设为第一压力的状态下，对第一温度的所述衬底供给含羧基流体，从所述含金属膜除去杂质的工序；（b）在将所述含羧基流体的供给停止了的状态下对所述处理室内的气氛进行排气，使所述处理室内的压力成为比所述第一压力低的第二压力的工序；和（c）将所述处理室内的压力维持在所述第二压力、并在所述杂质被除去了的所述含金属膜露出的状态下，将所述衬底加热至比所述第一温度高的第二温度，使所述含金属膜中的金属成分的晶体粒径扩大的工序。