IMEC 非营利协会

本公开涉及集成光学结构（10）。该集成光学结构（10）包括：光波导结构（11）；与光波导结构（11）相距第一距离悬置的梁结构（12），所述梁结构（12）包括第一材料的第一区段（12A）和第二材料的第二区段（12B），其中第一材料是导电材料，第二材料是非导电材料或半导体；与梁结构（12）相距第二距离设置的电极结构（21）；以及电接触结构，该电接触结构被配置成在电极结构（21）与梁结构（12）的第一区段（12A）之间施加电压，感生出在电极结构（21）与第一区段（12A）之间起作用的静电力；其中梁结构（12）被设计成在所述静电力作用下朝向或远离光波导结构（11）弹性弯曲，导致在光波导结构（11）中传播的光学信号的光学特性—尤其是相位—的改变。

一种用于形成3D NAND闪存的存储器结构的方法，包括：在基板上方形成层堆叠，该层堆叠包括栅极层和栅极间间隔物层的交替序列；在围绕层堆叠中的存储器孔的侧壁中形成凹陷区；在每一凹陷区中形成初始电荷俘获层；在存储器孔中沉积隧穿氧化物层；在隧穿氧化物层上沉积沟道层；在层堆叠中形成接触沟槽；通过在朝向存储器孔的方向上从接触沟槽在横向上回蚀栅极层，在层堆叠中形成栅极腔；氧化每一栅极腔中的初始电荷俘获层的一部分，使得经氧化部分形成阻挡氧化物层，并且初始电荷俘获层的非氧化部分保留下来，以形成在阻挡氧化物和存储器孔之间的最终电荷俘获层；以及通过经由接触沟槽在栅极腔中沉积栅极材料来在栅极腔中形成栅极层。

用于形成3D NAND闪存的存储器结构的方法，包括：在基板上方形成层堆叠，该层堆叠包括栅极层和栅极间间隔物层的交替序列；通过从层堆叠中的存储器孔在横向上相对于栅极间间隔物层回蚀栅极层，在围绕存储器孔的侧壁中形成凹陷区；在每一凹陷区中形成离散的阻挡氧化物层；在存储器孔中的所暴露表面上共形地沉积连续的衬层；在衬层上沉积连续的牺牲层；回蚀牺牲层，使得在凹陷区外的衬层被暴露且牺牲层的离散部分保留在凹陷区中；去除衬层的所暴露部分，使得被离散的牺牲层部分所覆盖的衬层的离散部分保留在凹陷区中；去除凹陷区中牺牲层的离散部分；在每一凹陷区中形成离散的电荷俘获层；在存储器孔中沉积隧穿氧化物层；和在隧穿氧化物层上沉积沟道层。

在支撑基板上形成需要图案化的目标层。在目标层上按顺序制备蚀刻停止层和第一掩模层。根据本发明的实施例，第一掩模层被图案化为开口的规则二维阵列。在第一定向蚀刻步骤中，扩大第一掩模层中的开口，从而在第一掩模层中形成第一平行沟槽的图案。可在减薄图案化的第一掩模层后制备第二掩模层。将第二掩模层图案化为开口的相同的规则阵列，然后对第二掩模层进行第二定向蚀刻步骤，该步骤扩大第二掩模层中的开口，从而形成在与第一沟槽方向交叉的方向上延伸的第二平行沟槽。第二定向蚀刻还去除了第一掩模层的暴露部分，使得后者最终被图案化为柱图案。在相对于所述柱剥离第二掩模层之后，将柱图案转移到目标层。

一种半导体结构，包括：半导体基基板；设置在基板上的势垒层；设置在势垒层上的电镀晶种层；其中势垒层被配置用于减轻从晶种层到基板的原子扩散；设置在晶种层上且被配置用于抵抗晶种层的氧化的封盖层；以及设置在封盖层上的焊料凸块。