一种适用于半导体加工的图案化方法

在支撑基板上形成需要图案化的目标层。在目标层上按顺序制备蚀刻停止层和第一掩模层。根据本发明的实施例，第一掩模层被图案化为开口的规则二维阵列。在第一定向蚀刻步骤中，扩大第一掩模层中的开口，从而在第一掩模层中形成第一平行沟槽的图案。可在减薄图案化的第一掩模层后制备第二掩模层。将第二掩模层图案化为开口的相同的规则阵列，然后对第二掩模层进行第二定向蚀刻步骤，该步骤扩大第二掩模层中的开口，从而形成在与第一沟槽方向交叉的方向上延伸的第二平行沟槽。第二定向蚀刻还去除了第一掩模层的暴露部分，使得后者最终被图案化为柱图案。在相对于所述柱剥离第二掩模层之后，将柱图案转移到目标层。