元の名称記録: 拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司

本发明提供了一种衬套、一种工艺腔室，以及一种衬套的安装方法。所述衬套包括衬套本体及弹片。衬套本体设于工艺腔室的传片口的内侧壁。所述衬套本体的外侧面设有安装槽。弹片设于所述安装槽内并设有至少一个弯折部。所述至少一个弯折部发生形变，以压紧所述衬套本体与所述传片口的内侧壁。所述衬套、工艺腔室及衬套的安装方法，能够防止传片口处衬套的偏移，从而减少其对工艺腔室内气体分布及流场的负面影响，以提升薄膜沉积工艺的稳定性与一致性。

本发明提供了一种气体传输系统及薄膜沉积设备。气体传输系统包括：第一管路，其第一端连接工艺腔室，而其第二端连接远程等离子系统；第二管路，其第一端连接第一反应气源，而其第二端经由第一接口连接到所述第一管路，其中，所述第一接口位于所述工艺腔室和所述远程等离子系统之间；以及第三管路，其第一端连接惰性气源，而其第二端经由第二接口连接到所述第一管路，其中，所述第二接口位于所述第一接口和所述远程等离子系统之间，并在所述第一反应气源向所述第一接口提供第一反应气体的过程中，向所述第二接口提供惰性气体，以阻止所述第一反应气体向所述远程等离子系统的反流。

本发明提供了一种晶圆升降装置及一种反应腔室。该晶圆升降装置包括多根顶针及升降机构。该多根顶针的第一端位于加热盘的下侧，而第二端经由分布于加热盘的顶针过孔，延伸到加热盘的上侧。该顶针朝向顶针过孔的表面设有至少一个凹陷部，以收集沉积副产物。该升降机构，连接多根顶针的第一端，以驱动多根顶针升降。

本发明提供了一种标定方法、温度控制装置及存储介质。标定方法包括以下步骤：获取加热盘的最高目标温度、预设的温升步长及预设的恒温间隔；逐步增大向设于所述加热盘的目标加热区的第一加热丝提供的第一功率，并采集所述目标加热区表面在不同时刻的第一温度，以控制所述目标加热区表面在所述最高目标温度以下的范围内，每升温一个所述温升步长就恒温一个所述恒温间隔；采集所述第一加热丝在各所述恒温间隔处的第一电压与第一电流，以计算其第一电阻值；以及根据所述第一加热丝在各所述恒温间隔处的第一电阻值与第一温度，标定其第一电阻‑温度映射关系曲线。通过采用上述方法，本发明能够根据加热丝电阻值，确定加热盘表面的温度分布，从而满足半导体加工领域对加热盘温度控制日益升高的控制精度要求。

本发明涉及一种薄膜沉积设备及一种薄膜沉积方法。该薄膜沉积设备包括反应腔室、第一气源、第二气源、检测器和抽气泵。该反应腔室用于容纳晶圆。该第一气源用于向反应腔室提供第一工艺气体。该第二气源用于向反应腔室提供第二工艺气体。该检测器的第一端经由第一管道连接第一气源及第二气源，第二端经由第二管道连接反应腔室，其中，检测器至少用于检测流进第二管道的气体种类。该抽气泵经由第三管道连接第二管道，用于在第二管道中含有非目标种类的气体时，从第二管道中抽气。

本发明提供了一种衬套、一种工艺腔室、一种衬套的拆装方法。所述衬套包括衬套本体及固定块。衬套本体设于工艺腔室传片口的内侧壁。所述衬套本体的外侧面设有纵向延伸的阶梯槽，所述阶梯槽包括多个台阶，各所述台阶与所述传片口内侧壁的间距自上而下地递减。固定块被置于各所述台阶中的一者与所述传片口的内侧壁之间，并随温度的上升而膨胀，以压紧所述台阶与所述传片口的内侧壁。所述衬套、工艺腔室及衬套的拆装方法，能够防止传片口处衬套的偏移，从而减少其对工艺腔室内气体分布及流场的负面影响，以提升薄膜沉积工艺的稳定性与一致性。

本发明提供了一种混气结构及薄膜沉积设备。混气结构包括：混气腔，设有出气口；至少一个进气罐，被设于所述混气腔内，并包括多个相互独立的缓冲腔，其中，每一所述缓冲腔分别具有对应的单向开口；以及多根进气管路，其中，每一所述进气管路的第一端分别连接至少一个气源，而其第二端穿过所述混气腔的外壁，以伸入对应的缓冲腔，并向所述对应的缓冲腔输入气体，以经由对应的单向开口向所述混气腔供气。

本发明提供了一种匀气结构及多站真空吸附系统。匀气结构包括：第一端口，设于所述匀气结构的第一端，并连通气源和/或真空泵；第二端口，设于所述匀气结构的第二端，并至少连通真空规；多个第三端口，设于所述第一端口与所述第二端口之间，垂直所述第一端口与所述第二端口，并连通多个真空吸附盘；以及挡板，设于所述第一端口和所述第二端口之间。通过采用上述匀气结构，本发明能够借助多个端口与挡板间的协同作用，实现各真空吸附盘之间的均匀抽气和均匀气体回填，同时避免气体通过第二端口直接进出真空规，从而保证薄膜沉积的均匀性，提高芯片良率。

本发明提供了一种C形密封圈、阀门及C形密封圈的生产模具。C形密封圈第一端被安装于第一密封件的密封槽，而其第二端接触第二密封件，其特征在于，所述C形密封圈的径向截面为第二端开口的C形，并具有至少一个连通所述C形密封圈内部与外部真空环境的径向通气孔。

本发明提供了一种密封圈筛选装置和密封圈处理装置。该密封圈筛选装置包括底座、可调盖板组件以及测量组件。所述底座的顶部开设有环形凹槽，用于容纳密封圈；所述可调盖板组件覆盖在所述环形凹槽上方；所述测量组件固定在所述底座的一侧，所述测量组件根据所述密封圈的形变恢复情况筛选出可重复使用的密封圈。该密封圈处理装置包括箱体以及位于该箱体内的密封圈筛选装置。

本发明提供了一种多站式反应设备及其分气系统。该多站式反应设备的分气系统包括多条第一工艺气体管道、多条第一废气管道和多条吹扫气体管道。该多条第一工艺气体管道设于多个反应站之上，其一端在多个反应站上方的中心连接第一工艺气体源，另一端分别以相同长度通入对应的反应站。该多条吹扫气体管道设于多条第一工艺气体管道之上，其第一端连接吹扫气体源，而其第二端分别规避多条第一工艺气体管道延伸，并以相同长度通入对应的反应站。该多条第一废气设于多条吹扫气体管道之上，其第一端在多个反应站上方的中心连接废气总管，而其第二端分别规避多条第一工艺气体管道和多条吹扫气体管道延伸，并以相同长度通入对应的反应站。

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种气体喷射系统及半导体工艺设备。本发明提供的气体喷射系统，包括：气体供应模块，用于提供工艺气体；分区控制模块，用于接收所述工艺气体并分配至多个独立控制区域；喷嘴模块，包括多个喷头单元，多个喷头单元分别与所述多个独立控制区域进行连接，用于将来自各独立控制区域的气体喷射至工艺腔室内；其中，所述分区控制模块被配置为对每个所述独立控制区域的气体进行单独输送与控制。本发明通过将每个进气支管与对应的环形通道构造成独立控制区域，实现了对每个独立控制区域内气体的精准调控，显著改善晶圆表面气流分布均匀性。

本发明提供了一种工艺腔室及薄膜沉积设备。工艺腔室包括：加热盘，具有与待加工晶圆同向弯曲的吸附表面，其中，所述吸附表面分布有多个真空吸附部；以及喷淋头，至少用于向被所述待加工晶圆提供沉积薄膜的工艺气体。本发明能够通过使用与待加工晶圆同向弯曲的吸附表面，减小晶圆边缘与加热盘表面的初始间隙，从而降低吸附翘曲晶圆所需的真空吸附力，并抑制工艺气体经由晶圆边缘气体泄漏到晶圆背部成膜的现象。

本发明提供了一种温度控制装置、方法及存储介质。温度控制装置包括设于加热盘内的加热丝和热电偶，驱动器以及控制器。驱动器包括电压电流采集电路及温度采集电路，并连接所述加热丝和所述热电偶。控制器被配置为：经由温度采集电路，采集所述热电偶所在位置的第一温度；经由电压电流采集电路，冗余地采集所述加热丝两端的电压与电流，以计算其电阻值；根据所述加热丝的电阻值，确定其第二温度；以及根据所述第一温度和所述第二温度，调节所述驱动器向所述加热丝输出的功率。通过采用上述配置，本发明能够兼顾温度采集的响应速度和对加热盘温度的控制精度，从而提高了半导体加工设备的自动化程度与便捷性。

本发明提供了一种驱动器、半导体加工设备。所述驱动器包括电压电流采集电路及第一滤波电路。电压电流采集电路；以及第一滤波电路，位于三相交流电源与待驱动的加热丝之间，并包括差模电容组、第一共模电感组及共模电容组，其中，所述差模电容组连接所述三相交流电源，所述第一共模电感组连接所述差模电容组，所述共模电容组连接所述第一共模电感组。