正帆科技（湖州）有限公司

本发明涉及半导体制造设备技术领域，具体公开了半导体外延气体纯化装置自动吹扫控制方法，采集管路内压力衰减时序特征和红外光谱吸收强度值；通过梯度扩散加权积分变换和非线性耦合计算生成吹扫触发系数；依据吹扫触发系数经动态相位延迟迭代运算确定氮气脉冲参数及负压开启阈值；在脉冲间隔内采集气体分压波动数据，经递归差分比较得到实时吹扫剥离率；最后通过基于历史步长修正的递归收敛判别流程输出残余风险系数，当低于安全边界时终止吹扫并输出就绪信号；本发明实现了对管路内危险气体残留的自适应判别与吹扫终点自动判定。

本发明公开了半导体工艺气体短程高纯输送控制方法，涉及半导体制造技术领域，包括以下步骤：采集半导体外延工艺的多种工艺气体入口流量、入口压力及初级纯度数据，将多种工艺气体在进入机台侧前统一限定在预设范围内，并分别导入对应进气路径，为机台侧终端净化处理建立一致输入条件。本发明通过将终端净化位置设置于机台侧并缩短输送距离，使气体在完成净化后快速进入反应区域，减少输送过程中的杂质引入。同时通过连续平滑流动控制与停留时间压缩，避免气体滞留并降低杂质释放概率，从而在全过程中维持高纯状态，提升外延工艺稳定性与产品质量。