半导体工艺气体短程高纯输送控制方法

本发明公开了半导体工艺气体短程高纯输送控制方法，涉及半导体制造技术领域，包括以下步骤：采集半导体外延工艺的多种工艺气体入口流量、入口压力及初级纯度数据，将多种工艺气体在进入机台侧前统一限定在预设范围内，并分别导入对应进气路径，为机台侧终端净化处理建立一致输入条件。本发明通过将终端净化位置设置于机台侧并缩短输送距离，使气体在完成净化后快速进入反应区域，减少输送过程中的杂质引入。同时通过连续平滑流动控制与停留时间压缩，避免气体滞留并降低杂质释放概率，从而在全过程中维持高纯状态，提升外延工艺稳定性与产品质量。