天合光能（淮安）光电有限公司

本申请公开了一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法、电池组件和用电装置。隧穿氧化层钝化接触太阳能电池包括半导体衬底，半导体衬底的背光面设置有电极区和非电极区；沿远离半导体衬底的方向，在电极区依次设置有隧穿氧化层、第一掺杂半导体层、第一钝化层、第二掺杂半导体层和背面电极；其中，第一钝化层和第二掺杂半导体层延伸至非电极区。隧穿氧化层钝化接触太阳能电池所含的第二掺杂半导体层能够发挥阻挡外界正电荷离子向第一钝化层迁移的作用，提高第一钝化层发挥场钝化效应的稳定性，可以提升隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的抗电势诱导衰减性能。

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种隧穿钝化结构及其制备方法和TOPCon电池。该隧穿钝化结构，包括：第一隧穿层，第一隧穿层层叠在半导体基底上；第二隧穿层，第二隧穿层层叠在第一隧穿层远离半导体基底的一侧，第二隧穿层的针孔密度大于第一隧穿层的针孔密度；掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层层叠在第二隧穿层远离第一隧穿层的一侧。本申请的隧穿钝化兼具钝化效果和隧穿性能。