隧穿钝化结构及其制备方法和TOPCon电池

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种隧穿钝化结构及其制备方法和TOPCon电池。该隧穿钝化结构，包括：第一隧穿层，第一隧穿层层叠在半导体基底上；第二隧穿层，第二隧穿层层叠在第一隧穿层远离半导体基底的一侧，第二隧穿层的针孔密度大于第一隧穿层的针孔密度；掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层层叠在第二隧穿层远离第一隧穿层的一侧。本申请的隧穿钝化兼具钝化效果和隧穿性能。