元の名称記録: 中国电子科技集团公司第四十八研究所

本发明公开了一种多区域进气的外延沉积设备，包括反应室腔体，所述反应室腔体内设有石墨大盘，所述石墨大盘均匀划分为多个独立的生长区域，晶圆放置在生长区域上进行外延工艺，所述反应室腔体侧部均匀设有多个独立的进气装置，以实现多种工艺气体独立输送；所述反应室腔体还设有用于驱动石墨大盘旋转的旋转装置；当生长区域中的晶圆进行外延工艺时，所述旋转装置驱动生长区域旋转至相应的进气装置位置处，以实现晶圆在预设的气体氛围内进行外延工艺。本发明通过不同进气装置预通不同种类的源气，结合位置切换实现异质材料的堆叠生长，缩短了工艺制备时长，改善异质界面质量，为复杂器件开发创造了稳定的生长环境。

本发明公开了一种用于立式炉设备的恒温区温度自动校准方法，包括步骤：S1.基于立式炉的内偶各温区在炉体中的高度分布位置与恒温区所需长度，设计校温热偶；S2.将校温热偶置于炉体内晶舟旁，使校温热偶的顶部测温点与内偶的顶部测温点高度一致，且与晶舟平行，用于直接监测晶圆温度；S3.启动立式炉的加热并将炉体温度升至工艺温度，直至内偶、外偶与校温热偶的温度均达到稳定状态；S4.启动自动校温功能，计算内偶与校温热偶对应温区的温度Offset值；S5.基于温度Offset值，直接开始拉恒温区，使恒温区温度达到工艺温度的允许偏差内。本发明具有校准效率高等优点。

本发明公开了一种基片传送设备及传送方法，设备包括依次连通的真空传输室、真空物料室和真空反应室，真空物料室与真空反应室之间设有隔离门阀组件，真空传输室内设有可升降且可平移的机械手，真空物料室内设有可升降的基片盒，基片盒设有多层间隔设置的放置层，放置层上设有用于装载基片的基片盘，真空反应室内设有工件台，工件台上设有载片台、顶盘组件、片托和片托升降驱动件，片托升降驱动件用于驱动片托升降以将基片盘压载于片托与载片台之间，真空反应室的外侧设有工件台驱动组件，工件台驱动组件穿过真空反应室的腔壁与工件台相连以带动工件台上下翻转。本发明具有适用性强，设备灵活性好，且操作过程便捷的优点。