无锡奥夫特光学技术有限公司

本发明属于微纳制造湿法工艺技术领域，具体涉及一种深腔内部底切结构的清洗方法，低速定向压力清洗，晶圆基片固定在转轴上，转轴与水平方向设定既定角度；转轴以设定慢速进行旋转；以稳定压力在晶圆基片的待清洗侧喷射去离子水清洗第一固定时间；中速离心置换冲洗，提升转轴的转速至设定中速旋转；继续以稳定压力在晶圆基片的待清洗侧喷射去离子水第二固定时间；高速甩干，完成中速离心置换冲洗后，停止喷射去离子水；转轴以设定高速甩干晶圆基片的残留去离子水第三固定时间；干燥处理，对晶圆基片进行干燥处理。本发明通过先清洗，然后对清洗用的去离子水进行置换，置换完成后对残留的去离子水进行甩干，有效实现对晶圆基片的深腔底切的清洗。