一种半导体级超净高纯异丙醇的制备工艺

本发明公开一种半导体级异丙醇连续纯化系统及工艺，针对传统工艺中重金属离子等痕量杂质脱除不彻底等问题，集成了气态吸附脱水、双塔精馏及三级离子交换等步骤，形成新型工艺。原料异丙醇经汽化、气态吸附脱水后，通过多级滤芯过滤；随后进入精馏系统脱除轻、重组分杂质；之后依次通过除硼、除重金属离子交换树脂床以及混床树脂床，脱除痕量的硼元素及阴阳离子；最终经终端过滤，得到半导体级异丙醇。经本发明方法获得的异丙醇，主含量≥99.995wt%，硼含量≤7ppt，各项金属元素含量≤3ppt，可用于晶圆表面的干燥和清洗。