半导体结构及其制备方法

本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供基底，于基底上形成初始栅极结构；初始栅极结构包括栅极和初始侧墙；于基底裸露于相邻初始栅极结构之间间隔内的表面形成金属硅化物层；对初始侧墙执行至少一次刻蚀清洗工艺，以获得厚度符合目标值的侧墙；刻蚀清洗工艺包括：沿平行基底的方向横向刻蚀初始侧墙；采用清洗液清洗横向刻蚀初始侧墙之后的所得结构；对清洗后的所得结构进行还原处理，以于金属硅化物层的表面形成保护层；其中，若横向刻蚀初始侧墙之后所得的侧墙的厚度大于目标值，则执行下一次刻蚀清洗工艺；若横向刻蚀初始侧墙之后所得的侧墙的厚度符合目标值，则去除保护层。提高了半导体结构的电性。