元の名称記録: 合肥晶合集成电路股份有限公司

本发明涉及晶圆领域，具体涉及一种晶圆的参数校准方法、系统及存储介质，包括：获取多个相同类型目标晶圆的历史性能测试MAP图；将多张历史性能测试MAP图叠加，进行归类迭代，得到目标晶圆的性能参数分布图，所述性能参数分布图包括若干个区域；在每个区域内筛选若干颗目标芯片，对筛选的目标芯片进行参数校准，生成校准码；将各个区域的校准码汇总，形成覆盖晶圆的批量校准码集合，依据所述批量校准码集合对晶圆内所有芯片进行参数校准。其能够减少测试时长，缩减测试成本。

本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅介质层；于栅介质层上依次形成高阻部件和第一掩膜层，第一掩膜层覆盖高阻部件和栅介质层，且第一掩膜层内形成有暴露部分高阻部件的第一开口；基于第一掩膜层刻蚀高阻部件及部分栅介质层，以形成贯穿高阻部件并延伸至栅介质层内的凹槽；进行外延生长工艺，使外延生长后的高阻部件填满凹槽中高于栅介质层的部分，并于凹槽中位于栅介质层内的部分形成气隙；形成至少覆盖高阻部件的保护层，并进行离子注入工艺以形成高阻结构，高阻结构包括气隙和经过离子注入的高阻部件；去除保护层。本申请降低了高阻部件和衬底间产生寄生PN结或电容的概率，提高了半导体器件的性能。

本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层、保护层和图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述保护层和所述介质层，以暴露所述衬底内的核心区；对所暴露的所述衬底进行活化处理，于所述核心区内的所述衬底的表面形成活化层；对所述活化层进行处理，形成基于所述活化层的预栅结构；去除所述光刻胶层，并去除所述保护层以及所述预栅结构中远离所述衬底一侧的部分，使剩余的所述预栅结构覆盖所述核心区的衬底。本申请减少了半导体器件的漏电流，提高了阈值电压的稳定性，减小甚至避免了后续形成的栅极发生击穿的概率，从而提高了半导体器件的稳定性和可靠性。

本公开涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，涉及集成电路技术领域，其中，多个光电二极管结构，沿平行于背面的第一方向间隔分布，且沿靠近衬底的第二方向贯穿P型外延层；底光敏部包括沿第一方向延伸的第一水平部，以及延伸至衬底背面的第一纵向凸出部；中光敏部包括沿第一方向延伸的第二水平部，以及延伸至第一水平部顶面的第二纵向凸出部；第二纵向凸出部位于第一水平部沿第一方向远离第一纵向凸出部的一侧；顶光敏部包括沿第一方向延伸的第三水平部，以及延伸至第二水平部顶面的第三纵向凸出部。至少能够增加感光区域的电子浓度，提高BSI图像传感器的感光性能及集成密度。

本申请公开了一种图像传感器的制造方法及图像传感器，图像传感器的制造方法包括：形成深沟槽隔离结构；在半导体衬底的第一表面形成介质层，并且形成从介质层表面向其内部延伸的第一沟槽，第一沟槽和深沟槽隔离结构相对；至少在第一沟槽的侧壁形成基底半导体层，其中，基底半导体层暴露出第一沟槽的底部；以基底半导体层为掩模，形成从第一沟槽的底部继续向介质层内部延伸的第二沟槽；基底半导体层膨胀氧化，形成完全填充第一沟槽的填充介质层，第二沟槽形成顶部被填充介质层覆盖的气隙；以及形成空气格栅结构，其中空气格栅结构包括介质层，介质层内部的气隙、以及覆盖气隙顶部的填充介质层，所述介质层围绕所述气隙以及所述填充介质层。

本发明提出一种半导体结构的制备方法，属于半导体领域，包括步骤：在衬底上依次形成掺杂层、垫氧化层和垫氮化层；刻蚀所述垫氮化层、所述垫氧化层、所述掺杂层和部分所述衬底，形成浅沟槽后，在所述浅沟槽内沉积绝缘材料，直至所述浅沟槽内的所述绝缘材料突出于所述垫氮化层；第一次平坦化所述绝缘材料直至暴露所述垫氮化层；依次刻蚀去除所述垫氮化层和所述垫氧化层，直至暴露所述掺杂层；在所述掺杂层和所述浅沟槽内的所述绝缘材料上沉积补偿绝缘材料；第二次平坦化所述补偿绝缘材料和所述绝缘材料直至暴露所述掺杂层，形成浅沟槽隔离结构；去除所述掺杂层。本发明提出的半导体结构的制备方法，能够改善浅沟槽隔离结构的边角凹陷现象。

本发明提供了一种化学机械研磨方法、装置及晶圆的制作方法，属于半导体领域。该化学机械研磨方法包括：提供晶圆；确定晶圆的厚度分布；构建基于研磨液供应量的研磨速率修正模型；根据研磨速率修正模型、晶圆表面的厚度分布及预设的晶圆的目标厚度，调节研磨垫表面不同区域处研磨液的供应量，对所述晶圆进行研磨，使所述晶圆表面的厚度分布满足所述目标厚度。该方法可以通过调控研磨液的供应量，修正研磨过程中耗材以及研磨液分布不均引起的研磨后晶圆表面厚度分布不均匀的问题。

本申请提供了一种曝光机焦平面的补偿方法及装置、曝光方法，属于光刻领域。该方法包括：间隔若干生产周期，采用标准晶圆片量测得到曝光机的卡盘高度分布图；生产过程中，通过曝光机扫描生产晶圆片，得到生产晶圆片的找平映射图；比对卡盘的高度分布图与生产晶圆片的找平映射图，根据比对结果选择性的启用补偿方法对曝光机的焦平面进行补偿。通过该方法可以对卡盘的损耗进行补偿，以确保曝光精度。

本发明涉及一种光刻方法，涉及半导体制备技术领域，该光刻方法中，在去除待加工基板上的第一光阻之后，需要对第一表面进行清洗，清洗第一表面时会使得第一表面具有亲水性，影响了后续光阻与待加工基板之间的粘合性，因此，采用第一反应材料对第一表面进行处理形成第一疏水表面，由于第一疏水表面与第二光阻的粘合性更高，在形成第二光阻时，改善了第二光阻的倒塌问题。又由于掩膜版设置了第一延伸部和第二延伸部，可以让形成的第二光阻中的第一边框具有通道，使得形成的第二光阻在进行清洗时，水流的张力显著降低，进一步避免了第二光阻倒塌的问题。

本发明公开了一种降低光刻胶显影后缺陷的方法及半导体结构制作方法，属于半导体领域，本发明将微波加热提前至蒸发显影液工序，并且通入惰性气体减少光刻胶图案内外压差，通过微波加热蒸发半导体结构上的显影液，同时通入惰性气体和开启干燥腔室的抽气装置，将显影液蒸汽抽走，通过惰性气体维持干燥腔室处于微正压状态以保护半导体结构，微波加热在蒸发显影液的同时加热光刻胶使其进一步交联固化；对光刻胶图案清洗以去除蒸发显影液后的残留物。使得本发明将显影液清洗置换、显影液蒸发和硬烘整合为一个工序，最终使得本发明可以缩短硬烘时间甚至去掉硬烘工序，所得光刻胶图案更加致密和坚固，因此在后续清洗过程中也不易造成光刻胶图案坍塌。

本申请提供了一种光阻的去除方法，属于半导体技术领域，其包括提供半导体基底；在半导体基底上依次形成感光膨胀胶层及目标光阻层，目标光阻层位于感光膨胀胶层上，且感光膨胀胶层与目标光阻层的感光波段不同；对目标光阻层进行曝光显影，以形成图形化的光阻层；当图形化的光阻层不满足要求时，对感光膨胀胶层进行完全曝光，感光膨胀胶层膨胀以使图形化的光阻层坍塌；以及去除感光膨胀胶层及图形化的光阻层。本申请利用感光膨胀胶层感光膨胀的效应使得图形化的光阻层坍塌，之后去除感光膨胀胶层即可同步去除图形化的光阻层，避免对半导体基底产生损伤或产生光阻残留的问题，还可避免新的光阻曝光之后产生变形、倒塌、剥离等缺陷的问题。

本发明提供一种具有金属栅极的半导体器件及其形成方法，伪栅结构具有大于目标关键尺寸的第一关键尺寸；氧化伪栅结构的两侧侧壁形成氧化层，一侧氧化层的第二关键尺寸为第一关键尺寸与目标关键尺寸之差的一半；氮化伪栅结构的侧壁的氧化层形成氮氧化层，氮氧化层具有第三关键尺寸，第三关键尺寸小于等于第二关键尺寸；去除伪栅结构，以形成具有目标关键尺寸的沟槽，且完整保留伪栅结构的侧壁的氧化层和氮氧化层；形成金属栅极，金属栅极位于沟槽内且具有目标关键尺寸。本发明意想不到的效果是，伪栅结构的关键尺寸更大，伪栅结构的深宽比更小，能够改善栅极倒塌缺陷，在不购入更高工艺配置机台的情况下，达到下一代晶体管关键尺寸工艺要求。

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，具体涉及半导体技术领域。所述半导体结构的制造方法包括提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构和侧墙结构，所述侧墙结构位于所述栅极结构的两侧，所述栅极结构两侧的衬底内形成有源漏区；对所述源漏区进行湿法预刻蚀，形成第一凹槽；对所述第一凹槽进行干法刻蚀，形成第二凹槽；对所述第二凹槽进行湿法刻蚀，形成西格玛沟槽；在所述西格玛沟槽中进行锗硅外延生长，形成锗硅外延层。该方法可显著降低刻蚀对栅极上方及侧墙硬掩膜的消耗，保护栅极上方的硬掩膜，还可以控制锗硅关键尺寸的一致性。

本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供基底，于基底上形成初始栅极结构；初始栅极结构包括栅极和初始侧墙；于基底裸露于相邻初始栅极结构之间间隔内的表面形成金属硅化物层；对初始侧墙执行至少一次刻蚀清洗工艺，以获得厚度符合目标值的侧墙；刻蚀清洗工艺包括：沿平行基底的方向横向刻蚀初始侧墙；采用清洗液清洗横向刻蚀初始侧墙之后的所得结构；对清洗后的所得结构进行还原处理，以于金属硅化物层的表面形成保护层；其中，若横向刻蚀初始侧墙之后所得的侧墙的厚度大于目标值，则执行下一次刻蚀清洗工艺；若横向刻蚀初始侧墙之后所得的侧墙的厚度符合目标值，则去除保护层。提高了半导体结构的电性。

本申请涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构包括形成于所述衬底上的栅极和形成于所述栅极的侧壁的栅极侧墙；于所述栅极侧墙的远离所述栅极一侧的所述衬底内形成第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层中远离所述衬底的一侧生成有氧化层；于所述氧化层上形成还原层，并将所述氧化层还原为第二金属硅化物层；去除所述还原层；采用刻蚀剂对所述栅极侧墙进行回刻处理。本申请利用还原层的还原特性将氧化层还原为第二金属硅化物层，减少或者了避免回刻工艺的刻蚀剂及清洁过程中采用的清洗剂对金属硅化物产生腐蚀的风险，从而提高了半导体器件的良率。

本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，第一晶体管的第一栅氧化层及第一栅电极层依次堆叠在相应的第一有源区上，第一栅氧化层及第一栅电极层沿第一方向延伸的边界不超出相应的第一有源区的边界；绝缘层位于第一器件区的部分衬底上，并覆盖第一栅氧化层沿第一方向延伸的侧壁及第一栅电极层沿第一方向延伸的部分侧壁；第一栅极侧墙的第一部分位于绝缘层上，并覆盖第一栅电极层沿第一方向延伸的剩余侧壁，第二部分位于相应的第一有源区上，并覆盖第一栅电极层沿第二方向延伸的侧壁。本申请将第一栅氧化层及第一栅电极层沿第二方向的宽度变窄，从而降低半导体器件的面积，绝缘层可以避免沟道穿通以及源漏区短路的问题。

本申请提供了一种半导体结构、图像传感器。半导体结构包括：衬底、光电二极管和彩色滤光元件；其中，光电二极管包括：依次层叠于像素区表面的第一光电功能层、第二光电功能层、第三光电功能层，以及形成于第一光电功能层两侧的第四光电功能层；第一光电功能层的材质为砷化硅，第二光电功能层和第四光电功能层的材质为磷化硅，第三光电功能层的材质为锑化硅；第二光电功能层位于第一光电功能层远离衬底一侧的表面；第三光电功能层靠近第一光电功能层一侧的底面和侧面均与第二光电功能层接触且被第二光电功能层包围。本申请的半导体结构能够在光电二极管中形成位能阱和高效的电子运输通道，从而产生更多光电子，提升光电转换效率。

本申请公开了一种芯片的制备方法及芯片，芯片的制备方法，包括：在半导体层上依次形成第一导体层和第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成桥墩结构；在所述桥墩结构之间形成牺牲层；在所述桥墩结构上依次形成第三绝缘层和桥梁结构；以及去除所述牺牲层，形成空气桥结构；其中，所述牺牲层为BARC层或无定形碳层。本实施例的芯片的制备方法采用BARC层或无定形碳层作为牺牲层，BARC层或无定形碳层去除的过程中不会对芯片结构的结构造成影响，防止过刻蚀芯片结构，并有效去除噪声的干扰源。

本发明属于半导体集成芯片技术领域，公开了一种集成多种性能CMOS器件的芯片的制备方法及芯片；其中，所述制备方法包括：基于芯片的平面布局设计图，在晶圆衬底上形成各CMOS器件的有源区和栅极，并在形成的栅极的侧壁形成侧墙；各CMOS器件共用一张掩膜版进行Pocket implant注入，然后依次进行轻掺杂离子注入、退火以及源漏极离子注入、退火，获得集成多种性能CMOS器件的芯片。本发明实现了在同样的Mask和制程条件下不同的Pocket implant注入位置进而实现器件性能调控，可完成集成多种性能CMOS器件的芯片的制备，降低了生产成本，提高了生产效率。

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成虚拟栅极以及包围虚拟栅极侧壁的第一层间介质层，去除虚拟栅极，在第一层间介质层内形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁形成牺牲层；在第一沟槽内形成第一金属层；去除部分厚度的第一金属层形成第二沟槽；去除牺牲层，在第一金属层侧壁与第一沟槽侧壁之间形成间隙；形成第二金属层，第二金属层填满间隙与第二沟槽，第二金属层与第一金属层共同构成金属栅极。本发明通过去除部分厚度的第一金属层以去除平坦化造成的残留物，同时形成覆盖第一金属层顶部与侧壁的第二金属层，如此即便第一金属层内还存在有残留物，由于第二金属层的存在也不会发生金属栅极失效的情况。