制造半导体存储器装置的方法

用于制造半导体存储器装置的示例方法包括形成PMOS区域、第一NMOS区域和第二NMOS区域。形成第一NMOS区域包括形成在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一位线和第二位线。第一掩模图案包括对应于第一位线的第一位线掩模图案以及对应于第二位线的第二位线掩模图案，第一位线掩模图案包括从第一端部朝向第二位线掩模图案突出的第一突出图案，第二位线掩模图案包括从第二端部朝向第一位线掩模图案突出的第二突出图案。