半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统

一种半导体装置包括：衬底，包括第一区域、第二区域和第三区域；堆叠结构，包括栅电极和层间绝缘层，栅电极包括下栅电极、存储器栅电极和上栅电极；第一接触结构，在第三区域中,通过穿透层间绝缘层中的最上层间绝缘层或穿透上栅电极的至少一部分而沿第一方向延伸不同的长度，并且分别电连接到上栅电极，其中，所述第一接触结构中的每一个包括贯通绝缘结构，所述贯通绝缘结构延伸并穿透上栅电极的至少一部分并且与分配的上栅电极的上表面接触；以及第一柱，穿透贯通绝缘结构并与分配的上栅电极的上表面电接触。