半导体存储器装置

本申请提供了半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：沟道结构，其包括第一柱部和从第一柱部延伸的第二柱部；阻挡绝缘层，其围绕第一柱部的侧壁；数据储存层，其设置在第一柱部和阻挡绝缘层之间；上选择线，其与面向第二柱部的延伸方向的阻挡绝缘层的端部和数据储存层的端部交叠，上选择线围绕第二柱部的侧壁；以及隧道绝缘层，其设置在第一柱部和数据储存层之间，隧道绝缘层在第二柱部和上选择线之间延伸。