半导体器件

一种半导体器件包括有源结构、栅极结构、位线结构、接触插塞结构以及电容器。所述有源结构包括有源图案和外延图案，所述有源图案位于衬底上并且在第一方向上延伸，所述外延图案位于所述有源图案在所述第一方向上的每个相对端部的侧壁上。所述外延图案的最下面的表面与所述有源图案的下表面基本上共面，并且所述外延图案包括单晶半导体材料。所述栅极结构设置在延伸穿过所述有源结构的上部的部分的凹陷中。所述位线结构设置在所述有源结构在所述第一方向上的中心部分上。所述接触插塞结构设置在所述有源结构的每个相对端部上。所述电容器设置在所述接触插塞结构上。