半导体存储器装置

提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和外围区域，单元区域包括单元有源区域；多个位线结构，在第一水平方向上延伸；存储接触件，连接到单元有源区域；第一存储垫，连接到存储接触件；数据存储图案，连接到第一存储垫；外围栅极结构，设置在外围区域上；以及外围接触插塞，在外围栅极结构的两侧，并且连接到基底，第一存储垫包括存储接触件上的第一硅化物膜和第一硅化物膜上的第一导电膜，外围接触插塞包括在竖直方向上延伸到基底中的凹陷、在凹陷的底侧上的第二硅化物膜、沿着凹陷的侧壁延伸的第二导电膜以及填充凹陷的内部的第三导电膜，并且在第二水平方向上第一导电膜的宽度与第二导电膜的宽度不同。