一种优化Nord Flash字线氧化层均匀性的方法

本申请涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种优化Nord Flash字线氧化层均匀性的方法。针对现有工艺中通过沉积厚氧化层再经平坦化与湿法刻蚀减薄形成字线氧化层，导致厚度均匀性差、易产生字线点蚀或接触电阻偏大的问题，本发明在形成字线凹槽后，直接沉积目标厚度的第一氧化层作为字线氧化层，并依次形成牺牲保护层和第二氧化层；经平坦化显露保护层后，利用保护层与氧化层的高刻蚀选择比进行第一刻蚀，使凹槽底部的字线氧化层免受侵蚀；最后在后续存储单元制造流程中去除该保护层。本发明将字线氧化层厚度仅由单次沉积工艺决定，显著提升了片内、片间及晶圆间的厚度均匀性，且保护层可随原有工艺步骤原位移除，无需额外掩模或刻蚀工序，与现有工艺高度兼容。