基于非晶锂镓氧化物的全光谱自然光芯片及其制备方法

本发明提供了一种全光谱自然光芯片及其制备方法。全光谱自然光芯片包括p型半导体层、n型半导体层以及设置于p型半导体层与n型半导体层之间的非晶发光层。非晶发光层的材质为非晶LiGaO，非晶LiGaO具有反尖晶石结构，其中Li占据四面体A位，Ga占据八面体B位和四面体A位；非晶LiGaO中掺杂有A位掺杂元素和B位掺杂元素，A位掺杂元素包括K、Na、Cu和Ag中的至少一种，用于替代Li占据四面体A位；B位掺杂元素包括Mg，用于替代Ga占据八面体B位。本发明能够实现单一半导体芯片直接发射全光谱连续自然光的目的。