墨子实验室

本发明提供了一种全光谱自然光芯片及其制备方法。全光谱自然光芯片包括p型半导体层、n型半导体层以及设置于p型半导体层与n型半导体层之间的非晶发光层。非晶发光层的材质为非晶LiGaO，非晶LiGaO具有反尖晶石结构，其中Li占据四面体A位，Ga占据八面体B位和四面体A位；非晶LiGaO中掺杂有A位掺杂元素和B位掺杂元素，A位掺杂元素包括K、Na、Cu和Ag中的至少一种，用于替代Li占据四面体A位；B位掺杂元素包括Mg，用于替代Ga占据八面体B位。本发明能够实现单一半导体芯片直接发射全光谱连续自然光的目的。

本发明涉及铁电材料技术领域，特别是涉及基于超薄柔性玻璃衬底的HfO基铁电薄膜的应力辅助退火方法和应用，包括以下步骤：在超薄柔性玻璃衬底上依次沉积底电极、HfO基铁电薄膜及顶电极，得到层叠结构；将层叠结构固定于弯曲夹具上，使其处于弯曲应变状态，然后进行快速退火；退火完成后，将固定有层叠结构的弯曲夹具冷却至室温，然后将层叠结构从弯曲夹具上释放，得到基于超薄柔性玻璃衬底的HfO基铁电薄膜。本发明通过选用超薄柔性玻璃作为衬底以突破高温退火限制，并在退火过程中主动施加弯曲应力以调控结晶行为，从而实现在柔性衬底上直接制备高性能HfO基铁电薄膜。

本发明属于半导体器件技术领域，公开一种高散热增强型GaN基HEMT外延晶圆、器件及其制备方法。外延晶圆包括依次层叠设置的金刚石衬底、含氮石墨烯插入层、AlN复合成核层、AlN位错过滤层、应力释放层、半绝缘GaN过渡层、GaN沟道层、AlN插入层、第一AlGaN势垒层及p型栅极外延层。p型栅极外延层包括第二AlGaN过渡层、In等电子掺杂GaN层、Mg重掺杂p‑GaN层和Mg轻掺杂p‑GaN层。器件由该外延晶圆经台面隔离、p型栅极图形化、栅极介质沉积、电极形成和钝化处理制得。本发明利于改善金刚石基GaN外延的成核及应力状态，提高器件散热能力，增强p型栅极对栅下二维电子气的耗尽作用。