基于复合薄膜的紫外LED制备方法、复合薄膜及紫外LED

本申请公开了一种基于复合薄膜的紫外LED制备方法、复合薄膜及紫外LED，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成二维材料层和三维纳米图形层，得到复合结构；对复合结构进行等离子体界面改性处理，获得复合薄膜；在复合薄膜表面外延生长紫外LED外延层，外延层至少包括第一导电类型层、有源层和第二导电类型层；在外延层的第一侧形成第一电极；去除至少部分半导体衬底，以暴露外延层的第二侧的至少一部分；在外延层的第二侧形成第二电极。在保证衬底无损剥离的同时显著提升了外延层晶体质量和器件光电性能。