원래 이름 기록: 华羿微电子股份有限公司

本发明提供一种半导体产品焊接质量实时监测及监控方法，涉及半导体器件封装技术领域，包括，采用铝线焊接机对半导体产品进行焊接，在焊接完成后采集所述半导体产品的焊点图像数据，将所述焊点图像数据存储于设备磁盘中作为原始焊点图像数据。该半导体产品焊接质量实时监测及监控方法，通过采用铝线焊接机对半导体产品进行焊接，并在焊接完成后采集焊点图像数据，将其实时传输至检测计算机进行预处理，生成焊点特征参数，并与预设的阈值进行比对，从而实现对焊接质量的实时监测与判定。

本发明公开根据目标驱动波形实时给定驱动电流的MOS/IGBT驱动电路，涉及MOS/IGBT驱动控制的技术领域，包括：PWM信号生成模块用于产生原始PWM信号；延迟电路模块用于对原始PWM信号进行延迟，得到具有目标开关速度的目标驱动波形；运放负反馈电路模块包括输入正极、输入负极以及输出引脚，输入正极用于接入目标驱动波形，输入负极与MOS/IGBT器件的栅极连接，输出引脚与电流驱动电路模块的输入端连接；目标驱动波形依次经运放负反馈电路模块比较放大，经电流驱动电路模块电流放大驱动MOS/IGBT器件。本发明能够使系统中所有的功率管具有一致的开关速度，甚至不同型号的功率管都能驱动到一致的波形，从而提升整个系统的效率和稳定性。

本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法，本方案通过在终端区采用一组特殊的外围沟槽阵列，在这个特殊的外围沟槽阵列的底部通过一次性P‑型离子注入，并在随后的器件制造热工艺的条件下对该P‑型注入的离子进行驱动，以达到预期均匀的结深，实现了缓解器件终端区域横向电场，获得了预期的击穿电压；并且，通过外围沟槽阵列的各沟槽间距不大于3.1um，使得最终得到的目标终端结构具有更小的终端尺寸，节省芯片面积；另外，该制造工艺与现有的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的工艺兼容，且工艺简单，制造成本低。

本发明提供一种预防半导体功率器件分层的封装方法，涉及半导体器件封装技术领域，包括对镀银或镀镍引线框架进行清洁处理形成洁净导电表面，对洁净导电表面进行上芯处理和压焊处理形成芯片互连结构；对芯片互连结构进行电沉积处理形成树枝状纳米结构层，对树枝状纳米结构层进行压塑处理形成封装结构，对封装结构进行电镀处理和切割成型处理形成封装成品。该预防半导体功率器件分层的封装方法，通过在镀银或镀镍引线框架表面形成树枝状纳米结构层，并利用压塑处理将树枝状纳米结构层与塑封料结合，增强了封装结构的界面结合强度，避免了传统封装中因热膨胀不匹配导致的分层现象。该方法提高了封装界面的机械稳定性，还提升了功率器件的可靠性。

本申请公开一种TOLL引线框架装置及封装产品，涉及半导体器件封装制造技术领域，能够提高封装产品的耐压和耐热性能和该封装外形的封装能力。装置包括：散热片和多个管脚；散热片的第一平面中包括第一载片区，多个管脚中包括至少一个第二载片区，第一载片区用于粘贴至少一个第一芯片，一个第二载片区用于粘贴至少一个第二芯片；第一载片区与第二载片区分开设置，且第一载片区和第二载片区不处于同一平面；第一芯片通过导电粘片粘贴在第一载片区，第二芯片通过绝缘粘片粘贴在第二载片区。