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提供了一种填充衬底表面上的间隙的方法。该方法可以包括以下步骤：(a)将衬底放置在反应室内的基座上，衬底包括间隙；(b)沉积步骤，包括：使碳前体流入反应室；其中碳前体的化学式包括：具有包含C、H和N的环状结构的环状化合物；羰基；和甲基、乙基、丙基、丁基、胺基和/或羟基中的至少一种；并且将碳前体暴露于等离子体，其中碳前体反应以形成第一沉积材料；以及(c)处理步骤，包括：将第一沉积材料暴露于沉积后处理，以使第一沉积材料在间隙内流动以形成碳膜。

提供了一种填充衬底表面上的间隙的方法。该方法可以包括：(a)将衬底放置在反应室内的基座上，衬底包括间隙；(b)沉积步骤，包括：使碳前体流入反应室；并且将碳前体暴露于等离子体，其中碳前体反应以形成第一沉积材料；以及(c)处理步骤，包括：在含原子氧气体中退火衬底，以使第一沉积材料在间隙内流动以形成碳膜。

本公开涉及用于通过选择性沉积过程在衬底上沉积含金属材料的方法和设备。该方法包括在反应室中提供衬底，以气相将金属醇盐前体提供到反应室中；以及以气相将第二前体提供到反应室中以在衬底上形成含金属材料。根据本公开的第二前体包括硼烷化合物，并且衬底包括第一表面和第二表面。

公开了用于快速调节衬底温度的反应器系统和方法。示例性反应器系统可以包括联接到反应器的反应室的一个或多个温度调节气体源。另外或可替代地，示例性反应器系统可包括升降销组件，其可以在处理期间移动衬底远离基座表面。