泉州三安半导体科技有限公司

本发明提供一种半导体发光元件及发光装置，该发光元件的外延结构至少包括由下至上叠置的第一半导体层结构、有源层以及第二半导体层结构，第二半导体层结构包括AlGaN材料层（0＜a＜1），其厚度与第二半导体层结构的厚度比大于或者等于60%并且小于100%；以第二半导体层结构的上表面为深度基准点，沿朝向有源层的深度方向，其中的P型掺杂物的浓度在第二半导体层结构内依次形成第一骤降区L1、缓升区L2、陡升区L3、第二骤降区L4。本申请的P型层选择AlGaN材料层，由此减少P型层的吸光现象。另外通过P型掺杂物在第二半导体层结构中的浓度控制，既能够保证第二半导体层结构中有足够的空穴供应，又能使有源层内几乎不存在Mg原子，减少对有源层的破坏，保证电子‑空穴的复合效率。

本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种半导体激光元件及光发射装置。半导体激光元件包括衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面；半导体叠层，设置于第一表面；背面电极层，设置于第二表面；背面电极层包括第一电极层和第二电极层；第一电极层位于第二电极层与衬底之间；第一电极层完全覆盖衬底的第二表面；第二电极层在第二表面上的投影边缘位于第一电极层在第二表面上的投影边缘的范围内，且第二电极层在第二表面上的投影边缘与第一电极层在第二表面上的投影边缘之间具有最小间距L；第一电极层的厚度d1小于第二电极层的厚度d2。上述设置有效提高半导体激光元件的发光性能和可靠性。

本申请提供一种发光二极管及发光装置，其中的N型半导体层包括依次叠置的第一结构层和第二结构层，第二结构层和第一结构层之间的第一界面，与N型半导体层和有源层之间的第二界面之间的垂直距离D介于0.01 μm~0.2 μm。第一结构层远离有源层的一侧为发光二极管的出光侧，上述垂直距离使得出光侧距离有源层的距离较小，减少了光子的传播距离，有利于光子自出光侧出射。另一方面N型半导体层包括第一结构层和第二结构层，无其他多余材料层，减少了材料层对光的吸收，有利于更多的光子出射。以上均能够提高发光二极管的出光效率。