一种发光二极管及发光装置

本申请提供一种发光二极管及发光装置，其中的N型半导体层包括依次叠置的第一结构层和第二结构层，第二结构层和第一结构层之间的第一界面，与N型半导体层和有源层之间的第二界面之间的垂直距离D介于0.01 μm~0.2 μm。第一结构层远离有源层的一侧为发光二极管的出光侧，上述垂直距离使得出光侧距离有源层的距离较小，减少了光子的传播距离，有利于光子自出光侧出射。另一方面N型半导体层包括第一结构层和第二结构层，无其他多余材料层，减少了材料层对光的吸收，有利于更多的光子出射。以上均能够提高发光二极管的出光效率。