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색인된 특허 기록 1건

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本公开涉及半导体结构，更具体地涉及密封环结构及制造方法。该结构包括：沟槽结构，其位于GaN材料堆叠中；欧姆金属，其在沟槽结构的一侧接触GaN材料堆叠的上表面；以及密封环结构，其在沟槽结构的一侧从欧姆金属竖直延伸并与欧姆金属接触。