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기록
密封环结构
발명알 수 없음
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
M·D·雷维; B·J·布朗
출원일
Feb 4, 2026
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
H10W 42/00 (2026.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 30/47 (2025.01)
本公开涉及半导体结构，更具体地涉及密封环结构及制造方法。该结构包括：沟槽结构，其位于GaN材料堆叠中；欧姆金属，其在沟槽结构的一侧接触GaN材料堆叠的上表面；以及密封环结构，其在沟槽结构的一侧从欧姆金属竖直延伸并与欧姆金属接触。
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