원래 이름 기록: 四川高景太阳能科技有限公司; 高景太阳能股份有限公司

本发明涉及单晶硅技术领域，尤其是涉及一种N型单晶硅片的制备方法。本发明提供的一种N型单晶硅片的制备方法，包括以下步骤：S1、将拉制P型硅的硅原料、磷硅母合金和锗元素添加剂依次进行化料、熔接、引晶、缩颈、放肩、等径和收尾，得到N型单晶硅棒；S2、将所述N型单晶硅棒切片后，依次进行第一退火处理和第二退火处理，得到所述N型单晶硅片。本发明的N型单晶硅片的制备方法，通过锗元素的添加，抑制了热施主的形成，降低了采用拉制P型硅的硅原料制得的N型单晶硅片的氧含量、电阻和缺陷密度。

本申请提供了一种拉制BC硅片配方智能推送方法、装置及电子设备，包括：从原料库存库中提取每个待填充原料对应的库存量；针对每个待填充原料，根据该待填充原料下每类备选用料参与制作硅片的质量表现，对该待填充原料下的备选用料进行使用优先级排名；根据所电子爆料单、原料库存单和每个待填充原料下对应的备选用料优先级排名，结合配方存储库所记录的多个优选拉晶配方，确定单晶炉台对应的最优拉晶配方；将最优拉晶配方加密推送至单晶炉台对应的炉台操作终端。通过自动化配方推送，取消原本需要人力参与的配方决策过程，屏蔽人员经验波动对最终加工结果的波动，且极大提高了单晶炉台加工效率。

本发明提供了一种单晶硅制备中坩埚投料的方法及应用，涉及半导体材料制造技术领域。具体而言，当坩埚内颗粒硅的装料量≤200kg时：先在坩埚底部装入小料，而后在所述小料的上部中间处装入颗粒硅，再在所述颗粒硅与坩埚壁之间填充块状硅，最后在所述颗粒硅的上部平铺所述块状硅；当坩埚内颗粒硅的装料量＞200kg时：先在坩埚底部装入小料，而后在所述小料的上部平铺颗粒硅，最后在所述颗粒硅的上部平铺小料；另外，控制复投阶段的氩气流量高于所述初装阶段的氩气流量。本发明能够有效减少初装投颗粒硅过程中溅射现象，通过改进装料方式、优化加热过程及控制熔体状态等措施，显著减少了颗粒硅的溅射，提高了单晶硅的质量。