一种N型单晶硅片的制备方法

本发明涉及单晶硅技术领域，尤其是涉及一种N型单晶硅片的制备方法。本发明提供的一种N型单晶硅片的制备方法，包括以下步骤：S1、将拉制P型硅的硅原料、磷硅母合金和锗元素添加剂依次进行化料、熔接、引晶、缩颈、放肩、等径和收尾，得到N型单晶硅棒；S2、将所述N型单晶硅棒切片后，依次进行第一退火处理和第二退火处理，得到所述N型单晶硅片。本发明的N型单晶硅片的制备方法，通过锗元素的添加，抑制了热施主的形成，降低了采用拉制P型硅的硅原料制得的N型单晶硅片的氧含量、电阻和缺陷密度。