원래 이름 기록: 中国科学院金属研究所; 东北大学

本发明提供一种增材修复单晶高温合金的热处理方法及单晶高温合金件，涉及金属合金材料热处理加工技术领域，包括以下步骤：对增材修复单晶高温合金进行退火处理，以释放所述增材修复单晶高温合金中的残余应力，并得到退火处理后的增材修复单晶高温合金；对所述退火处理后的增材修复单晶高温合金件进行时效处理，得到热处理后的增材修复单晶高温合金件。本发明通过退火处理去除残余应力，避免在后续时效处理过程中出现的固态裂纹和再结晶；然后通过时效处理同时改善合金修复区和基体区以及热影响区的组织，达到优化合金性能的目的。

本发明涉及半导体器件的研发与应用领域，具体为一种基于热场调控的人工突触晶体管及其制作方法。该人工突触晶体管包括衬底、碳纳米管沟道、栅极介电层、栅极电极以及与碳纳米管沟道接触的源漏电极，衬底自下而上为二氧化硅/重掺杂P型硅片/二氧化硅叠层结构，晶体管沟道是利用水浴加热沉积得到的无规则单壁碳纳米管层，栅极介电层是原子层沉积得到的氧化铪层，栅极电极以及源漏电极为自下而上的钛/金叠层复合结构。本发明利用温度调控碳纳米管沟道与顶部介电界面处的电荷陷阱状态，实现对器件电导多态、渐进式控制，进而实现对突触权重的有效调节。