基于热场调控的人工突触晶体管及其制作方法

本发明涉及半导体器件的研发与应用领域，具体为一种基于热场调控的人工突触晶体管及其制作方法。该人工突触晶体管包括衬底、碳纳米管沟道、栅极介电层、栅极电极以及与碳纳米管沟道接触的源漏电极，衬底自下而上为二氧化硅/重掺杂P型硅片/二氧化硅叠层结构，晶体管沟道是利用水浴加热沉积得到的无规则单壁碳纳米管层，栅极介电层是原子层沉积得到的氧化铪层，栅极电极以及源漏电极为自下而上的钛/金叠层复合结构。本发明利用温度调控碳纳米管沟道与顶部介电界面处的电荷陷阱状态，实现对器件电导多态、渐进式控制，进而实现对突触权重的有效调节。