恩智浦有限公司

一个例子公开一种医疗装置，所述医疗装置包括控制器，所述控制器被配置成耦合到一组光学传感器，其中所述控制器被配置成：检测在预定义边界内由所述一组光学传感器成像的一组结构；将所述一组结构中的每一个分类为无菌或非无菌；检测所述结构中被分类为无菌的第一结构与所述结构中被分类为非无菌的第二结构之间的物理接触；以及将所述第一结构重新分类为非无菌。

根据本公开的第一方面，提供了一种通信装置，其包括：RF通信单元，其被配置成执行与外部通信装置的UWB通信；次要RF通信单元，其被配置成执行至少一个第一无线电信道、至少一个第二无线电信道和至少一个第三无线电信道中的RF通信；以及控制器，其被配置成使所述次要RF通信单元：向外部通信装置传输第一广告消息，所述第一广告消息在第一无线电信道中传输并且指示第二广告消息将在第二无线电信道中传输到外部通信装置；传输第二广告消息，其中所述第二广告消息指示周期性广告消息将在第三无线电信道中传输到外部通信装置；传输周期性广告消息，其中所述周期性广告消息包含用于由主要RF通信单元执行的UWB通信的一个或多个设置。

本公开描述一种方法，其包括在第一区中在载体的表面上提供多个第一半导体管芯。在第二区中在所述载体上提供第二半导体管芯。在所述半导体管芯中的每个半导体管芯之间蚀刻沟槽，每个沟槽延伸到所述载体中达一定深度。将研磨箔片安装在所述载体上以将每个半导体管芯附接到所述研磨箔片。背面研磨所述载体的表面达所述深度。将载体箔片施加到所述载体的经背面研磨的表面。在与所述第一区对准的区中将所述研磨箔片或所述载体箔片改性，或者使用解除胶封模块将所述研磨箔片按压到所述载体箔片。然后从所述研磨箔片释放所述多个第一半导体管芯。在从所述载体去除所述研磨箔片时，所述多个第一半导体管芯从所述研磨箔片释放。

一种系统包括：至少一个处理器核心，其支持虚拟机；接口，其用于所述处理器核心与存储器之间的通信；资源域控制器RDC，其控制对存储器的访问；以及安全飞地；其中资源域控制器RDC由安全飞地配置。一种用于控制对被指派给虚拟机的存储器和/或装置的访问的方法包括：由安全飞地将存储器的至少一个存储器区分配给虚拟机；由安全飞地将域标识符指派给支持虚拟机的处理器核心和/或所述装置；以及由安全飞地向资源域控制器提供域标识符和标识分配给虚拟机的至少一个存储器区的信息。

一种电容器单元包括两个电容器电路和两个单元节点，其中每个电容器电路位于所述单元的电路节点与相应的单元节点之间的路径中。所述电容器单元包括启用晶体管，使所述启用晶体管传导以使所述单元的电容能够由例如振荡器等电路利用以用于通过启用信号进行频率控制，所述启用信号具有在低电源电压与高电源电压之间的电压范围。所述启用晶体管中的一个耦合在所述单元节点之间。两个启用晶体管中的每一个包括耦合在通往相应的单元节点的路径中的第一电流端。当所述启用信号未被断言时，所述两个启用晶体管的第二电流端被偏置在小于所述高电源电压的偏置电压。

描述了一种用于监测数字签名的系统和方法，包括：生成密钥对，每个密钥对包括OTS公钥和种子派生的OTS私钥，每个密钥对与索引st相关联；生成二叉树，所述二叉树的根对应于主公钥，并且所述二叉树的叶节点对应于密钥对，将所述种子、所述主公钥和所述索引st存储在第一处理器中，并且将多个节点存储在第二处理器中，接收数字签名请求；作为响应：下载所述种子、所述主公钥和所述索引st，选择与所述索引st相关联的所述密钥对，使用所述多个节点计算用于的认证路径，创建包括所述认证路径的数字签名，删除属于所述认证路径的至少一个节点，在所述第一处理器中用st+1替换所述索引st，以及验证所述数字签名的有效性。

本发明提供一种控制器局域网CAN收发器，所述CAN收发器包括：CAN总线引脚，其用于连接到CAN总线；TXD引脚，其用于从与所述CAN收发器相关联的控制器接收传输数据；驱动器电路，其被配置成从所述TXD引脚接收所述传输数据并且响应于所述传输数据而选择性地将差分电压信号施加到所述CAN总线引脚以选择性地断言所述CAN总线上的显性位；以及显性控制电路，其被配置成：通过感测与由所述驱动器电路施加到所述CAN总线引脚中的至少一个的所述差分电压信号相关联的电流而检测到所述CAN总线上的显性位的断言；以及响应于检测到所述显性位的错误断言，通过禁止所述电流的流动来启用安全模式。

一种多层面板级封装基板形成有紧凑型垂直巴伦以用于在单端信号与差分信号之间转换，其中所述垂直巴伦包括：第一非移相导电巴伦路径元件，其具有形成于至少两个封装层中并且连接在第一差分端信号巴伦节点与单端信号巴伦节点之间的一个或多个垂直对齐导电结构；第二移相导电巴伦路径元件，其具有形成于至少两个封装层中并且连接在第二差分端信号巴伦节点与所述单端信号巴伦节点之间的多个导电结构；以及单端接触元件，其与所述单端信号巴伦节点一体地形成于所述第一非移相导电巴伦路径元件直接电连接到所述第二移相导电巴伦路径元件的封装层位置处。

一种方法包括：提供电路基板，所述电路基板包括有源表面，所述有源表面包括由具有第一熔融温度的第一材料形成的一个或多个突起部；用第二材料涂覆所述一个或多个突起部中的每一个，所述第二材料具有低于所述第一熔融温度的第二熔融温度；以及将半导体装置管芯按压到所述电路基板上以形成电路组合件，其中所述管芯包括与所述突起部对准的一个或多个腔。用第三材料镀覆每个管芯，所述第三材料具有高于所述第二熔融温度的第三熔融温度。所述方法包括在高于或等于所述第二熔融温度并且低于所述第一熔融温度和所述第三熔融温度的选定温度下加热所述电路组合件，以使所述第二材料回流焊，从而在所述基板与所述管芯之间形成金属间连接。