원래 이름 기록: 北京天科合达半导体股份有限公司; 江苏天科合达半导体有限公司

本申请提供了一种进气控制装置及方法和PVT碳化硅长晶炉，涉及碳化硅晶体生长技术领域。本申请提供的技术方案，基于闭环反馈控制的温控方式调整混合气体的温度，从而将进气温度和炉内温度的差异精确控制在允许范围内，优化了PVT碳化硅长晶炉的进气控制，改善了炉内因局部温度梯度过大导致的热应力型位错的问题，提高了生长的碳化硅单晶的质量。

本发明公开了一种液相法碳化硅晶体生长装置，包括内部有保温腔的保温组件、固定于保温腔内的坩埚、与坩埚适配的测温仪和加热组件；坩埚内有生长腔，保温组件顶部贯穿有籽晶杆，籽晶杆与坩埚同轴且籽晶杆的轴线沿竖直方向延伸，籽晶杆底端联动设置有承载碳化硅晶体的籽晶托，籽晶杆能够往复升降以带动籽晶托经由过料口进出生长腔；加热组件包括内发热筒、外发热筒以及感应加热线圈，内发热筒及外发热筒均同轴套设于坩埚的外部，外发热筒的外周壁沿周向贴合适配于保温腔的内周壁，内发热筒能够往复升降地滑动适配于外发热筒的内周壁上，且内发热筒的内周壁与坩埚的外周壁间隙配合。本发明还公开一种应用上述液相法碳化硅晶体生长装置的生长方法。