一种进气控制装置及方法和PVT碳化硅长晶炉

本申请提供了一种进气控制装置及方法和PVT碳化硅长晶炉，涉及碳化硅晶体生长技术领域。本申请提供的技术方案，基于闭环反馈控制的温控方式调整混合气体的温度，从而将进气温度和炉内温度的差异精确控制在允许范围内，优化了PVT碳化硅长晶炉的进气控制，改善了炉内因局部温度梯度过大导致的热应力型位错的问题，提高了生长的碳化硅单晶的质量。