№ CN121398285A발명
유효具有短响应时间的发光二极管及其制备方法
本公开提供了一种具有短响应时间的发光二极管及其制备方法,属于半导体器件领域。该发光二极管包括:依次叠设的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和P型电流扩展层;多量子阱层包括周期性交替层叠的量子阱层和量子垒层,量子阱层的厚度为3~5nm,量子垒层的厚度为4~6nm,周期数为5~10对;P型电流扩展层的载流子浓度为8~9e18。本公开能够有效的提高发光二极管的响应效率。
❖京东方华灿光电(苏州)有限公司吕伟强; 刁子春; 程少文; 曹栋; 王洪占§ 2/10 청구항H10H 20/812 (2025.01), H10H 20/816 (2025.01), H10H 20/821 (2025.01) +112