具有短响应时间的发光二极管及其制备方法

本公开提供了一种具有短响应时间的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：依次叠设的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层和P型电流扩展层；多量子阱层包括周期性交替层叠的量子阱层和量子垒层，量子阱层的厚度为3~5nm，量子垒层的厚度为4~6nm，周期数为5~10对；P型电流扩展层的载流子浓度为8~9e18。本公开能够有效的提高发光二极管的响应效率。