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本发明属于功能材料制备技术领域，具体涉及一种非制冷红外探测器功能层及其制备方法。本发明的功能层从下至上依次包括第一介质层、第二介质层、热敏电阻层、第一保护层和第二保护层；第一、第二介质层、第一和第二保护层均为氮化硅，热敏电阻层为氧化钒；第一介质层采用等离子增强化学气相沉积法形成，厚度为0~1000Å；第二介质层采用物理气相沉积法形成，厚度为400~1400Å；热敏电阻层采用物理气相沉积法形成，厚度为600~1000Å；第一保护层采用物理气相沉积法形成，厚度为400~1400Å；第二保护层采用等离子增强化学气相沉积法形成，厚度为0~1000Å。本发明的非制冷红外探测器功能层具有较高的TCR性能。

本发明涉及溅射镀膜技术领域，具体涉及一种基于快速响应气体控制的VOx薄膜稳态生长进气装置，用于将反应气体注入VOx薄膜溅射系统中的反应腔体，反应腔体内设有基座和设置在基座内部的加热器，该进气装置包括：反应气体输送通道和进气孔，输送通道与外部气源连接，为反应腔体输送反应气体，输送通道设置在基座下方；所述进气孔设置在基座台面上并与所述输送通道连通，多个进气孔在基座台面上的分布为：位于晶圆下方边缘区域密度大于中心区域密度。本发明通过非均匀进气孔补偿了晶圆边缘和中心固有的沉积不均匀性，从而在整体上提高了薄膜的均匀性；通过缩短的气体输送路径使氧分压调节速率提升，靶电压波动范围收窄，最终实现稳态控制。

本申请公开了一种用于镀膜设备的防粒子沉积遮件，设于镀膜腔内，包括设置呈环状的上板和下板，上板和下板之间通过上下交错并间隔排列的挡板形成有迷宫型气流通道；遮件外缘与镀膜腔内壁之间存在0‑2mm的间隙，镀膜腔的腔壁接地，将间隙构造成以正电荷为主的电子耗尽区；通过迷宫型通道拦截误入的粒子，并通过电子耗尽区阻挡沿间隙逃逸的粒子，可大幅降低下方腔体的受污染频率，从而减少设备的停机时间与维护成本；迷宫型气流通道和电子耗尽区均为非阻断式设计，迷宫型通道不会阻碍反应气体的正常输送，电子耗尽区也不会影响晶圆与遮件的升降，在实现防污染功能的同时，完全适配现有镀膜设备的工艺节奏，无需改动设备的主体结构。