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색인된 특허 기록 1건

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本申请的电容器制造方法包括：在基板上形成多个下电极和支撑所述下电极的支撑层；蚀刻所述下电极以扩展所述下电极的上部间距(TCD)；在所述下电极和所述支撑层上形成介电层；以及在所述介电层上形成上电极。