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기록
电容器制造方法及存储器件制造方法
발명알 수 없음
16청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
曹圭镐; 郑主焕; 曺贤植; 金哈娜; 金才玟; 徐德炫; 崔雄辰
출원일
Apr 8, 2026
공개일
Oct 16, 2026
IPC 분류
H10D 1/68 (2025.01)
本申请的电容器制造方法包括：在基板上形成多个下电极和支撑所述下电极的支撑层；蚀刻所述下电极以扩展所述下电极的上部间距(TCD)；在所述下电极和所述支撑层上形成介电层；以及在所述介电层上形成上电极。