中国电子科技集团公司第二十四研究所

本发明属于集成电路领域，特别涉及一种适用于dB线性可变增益放大器的增益斜率转换电路，包括V信号输入级电路，设置节点V~V；所述V信号输入级电路用于根据转换控制信号的电平状态切换节点V~V的输出状态，以确定增益斜率的方向；V‑V信号输入级电路，用于根据确定的增益斜率方向，将差分增益控制电压V− V转换为电流信号I和I输出；插指级电路，用于接收电流信号I和I，输出电流I~I；跨导选通级电路，用于根据电流I~I的分布，改变放大器的增益值；本发明能满足复杂系统对增益斜率进行正负转换的需求。

本发明公开了一种基于可分离字线SRAM的存内计算深度卷积计算电路，包括：可分离字线SRAM近存计算阵列，用于在卷积核移位时通过切换字线导通状态替换部分数据，并将存储于阵列中的单bit数据与权重数据执行乘加运算，生成部分积；权重数据处理模块，用于对权重数据进行编码处理，并根据移位控制信号对编码后的权重数据的流向进行重排；移位控制模块，用于控制所述可分离字线SRAM近存计算阵列内部字线的导通状态，实现卷积核在特征图上的移位，且在移位过程中对部分数据进行重加载；结果聚合模块，用于对所述部分积进行聚合，输出卷积计算结果。本发明以可控的电路复杂度降低了访存开销与功耗，提升了深度卷积运算的运算效率。

本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种带负反馈调整的恒流驱动电路，包括：恒流驱动反馈电路、控制和电平移位电路、驱动电路以及功率管；恒流驱动反馈电路分别连接控制和电平移位电路、驱动电路以及功率管的源极；控制和电平移位电路还与驱动电路连接；所述驱动电路连接功率管的栅极；功率管的漏极外接电路；本发明采用局部负反馈的方式控制N9的栅极电压，实现恒流驱动，电路结构简单、设计复杂度低且成本较低。

本发明公开了一种用于TX电路输出阻抗匹配电路，属于集成电路设计技术领域。该电路包括片外精准电阻、TX电路和全局阻抗校准电路；TX电路包括模拟阻抗环路和驱动单元电路，且与全局阻抗校准电路刻蚀在同一片晶圆上。全局阻抗校准电路通过比较电路测量片外精准电阻与片上可编程电阻阵列的阻值偏差，有限状态机以比较电路输出为反馈，通过阻抗调节码闭环调节片上可编程电阻阵列至预设误差范围内，并根据阻抗调节码生成粗调节码和细调节码。粗调节码输出至驱动单元电路进行粗校准，实现大范围阻抗初调；细调节码输出至模拟阻抗环路进行细校准，实现高精度连续锁定。本发明通过粗、细校准协同工作，兼顾了大调节范围与高调节精度，有效降低信号反射，提升传输信号完整性。

本申请公开了一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该器件包括从下而上的漏极、衬底、第一外延层、P型岛、第二外延层、P 型掩蔽区、栅氧化层、沟槽、栅极、层间介质层以及源极；在第二外延层上分别依次周期性设置P 型基区和重掺杂 N 型区；在第二外延层、P 型基区和重掺杂 N 型区的两侧纵向分别周期性设置重掺杂 P 型第一区和重掺杂 P 型第二区，所述重掺杂 P 型第一区和重掺杂 P 型第二区沿Y轴方向呈周期性排布，在相邻间隔的重掺杂 P 型第二区之间设有第二外延层，在相邻间隔的重掺杂 P 型第一区之间设置P型连接区。本发明可在不牺牲MOSFET器件正向导通能力前提下实现保护沟槽底部氧化层并提高器件第三象限性能。