一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法

本申请公开了一种沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法，该器件包括从下而上的漏极、衬底、第一外延层、P型岛、第二外延层、P 型掩蔽区、栅氧化层、沟槽、栅极、层间介质层以及源极；在第二外延层上分别依次周期性设置P 型基区和重掺杂 N 型区；在第二外延层、P 型基区和重掺杂 N 型区的两侧纵向分别周期性设置重掺杂 P 型第一区和重掺杂 P 型第二区，所述重掺杂 P 型第一区和重掺杂 P 型第二区沿Y轴方向呈周期性排布，在相邻间隔的重掺杂 P 型第二区之间设有第二外延层，在相邻间隔的重掺杂 P 型第一区之间设置P型连接区。本发明可在不牺牲MOSFET器件正向导通能力前提下实现保护沟槽底部氧化层并提高器件第三象限性能。