湖北江城芯片中试服务有限公司

本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构及其制备方法，用于解决半导体裸芯片边缘的功能膜层易出现剥离的技术问题，该半导体结构通过在半导体裸芯片的边缘保护区形成至少两个凸起结构，至少两个凸起结构沿半导体裸芯片的径向间隔设置，并凸出于半导体裸芯片的正面，之后，在半导体裸芯片上再沉积形成功能膜层，使得功能膜层上形成与各凸起结构相适配的凹槽，这样，各凸起结构嵌设于对应的凹槽内，实现半导体裸芯片边缘保护区与功能膜层之间接触面积的最大化，能够显著的增强功能膜层与半导体裸芯片之间的界面粘附力，同时分散应力集中，从而能够有效抑制边缘保护区易出现的剥离现象。

本申请涉及半导体器件技术领域，提供了一种键合结构、键合结构的制备方法及半导体器件，该键合结构包括衬底、阻挡层、过渡层、键合层和导电结构。其中衬底具有待键合件，阻挡层层叠设置于衬底，阻挡层远离衬底一侧的表面凹凸不平。过渡层随形层叠设置于阻挡层背离衬底的一侧，过渡层远离衬底一侧的表面凹凸不平。键合层随形层叠设置于过渡层背离衬底的一侧，键合层远离衬底一侧的表面各处齐平。导电结构贯穿设置于键合层、过渡层和阻挡层，并与待键合件电连接。该键合结构通过使阻挡层的表面凹凸不平，且过渡层和键合层依次随形层叠设置于阻挡层的一侧，以增大膜层之间的接触面积，从而增强界面结合力，防止膜层分层。